15 января, 2017 
adminGWP Кoмпaния Samsung Electronics oбъявилa o зaвeршeнии рaзрaбoтки пeрвoгo в мирe модуля DDR4 DRAM, созданного по 30-нм техпроцессу. Были продемонстрированы 1.2V 2GB DDR4 модули форм-фактора unbuffered dual in-line memory modules (UDIMM), подключенные к контроллеру. Новые модули DDR4 DRAM могут передавать информацию на скорости в 2.133Gbps при 1.2V, по сравнению с 1.35V и 1.5V DDR3 DRAM, изготовленных по эквивалентному 30-нм технологическому процессу, скорость которых не превышает 1.6Gbps. В ноутбуке, модуль DDR4 сократит потребление энергии на 40 процентов по сравнению с модулем 1.5V DDR3.
Модуль изготовлен с применением технологии Pseudo Open Drain (POD), которая позволяет сократить потребление энергии во время чтения и записи информации вдвое, по сравнению с DDR3. Благодаря использованию новой архитектуры цепи, DDR4 сможет разгоняться до 3.2Gbps. Для сравнения, типичная скорость DDR3 — 1.6Gbps, а DDR2 — 800Mbps.
Samsung будет плотно сотрудничать с производителями серверов, для завершения стандартизации DDR4 во второй половине текущего года. Samsung первым разработал такие технологии как DDR DRAM в 1997 году, DDR2 DRAM в 2001, и DDR3 DRAM по 80-нм техпроцессу в 2005 году.
«Samsung активно поддерживает ИТ-индустрию, выступая с инициативой зеленой памяти, разрабатывая экологичные и высокоэффективные технологии памяти каждый год», — сказал Донг Су Джун, начальник отделения памяти компании Samsung. «Новые модули DDR4 DRAM укрепят эту традицию, особенно с выпуском четырехгигабитных блоков памяти сделанных по технологии следующего поколения».
Оригинал (на англ. языке): Techspot
українська версія: Samsung розробив нове покоління пам'яті, яке споживає на 40% менше енергії
Опубликовано в